PENGARUH ENKAPSULASI Be TERHADAP KARAKTERISASI SILICON NANOTUBE ARMCHAIR

Abstract

Abstrak. Telah dilakukan kaji teoritis untuk mengetahui pengaruh enkapsulasi Be terhadap karakterisasi silicon nanotube armchair (SiNT_{(17,17)-(20,20)}). Penelitian ini menggunakan metode Teori Fungsi Kerapatan (DFT) dengan pendekatan LDA serta basis set yang digunakan adalah DZVP dan TZV2P. Semakin besar nilai kiralitas dari struktur SiNT, semakin besar pula diameter yang dihasilkan, sehingga berakibat pada nilai celah energinya dimana diameter yang lebih besar akan menghasilkan nilai celah energi nanotube yang lebih kecil, seperti halnya pada carbon nanotube. Dengan adanya enkapsulasi Be, nilai celah energi SiNT armchair menjadi semakin menurun. Celah energi SiNT-Be_{(17,17)-(20,20)} berturut-turut adalah 1,667211; 1,560685; 1,560084; 1,504471. Selain itu, enkapsulasi Be juga mempengaruhi kestabilan struktur SiNT armchair yang ditandai dengan semakin rendahnya energi. Energi total dari optimasi geometri SiNT-Be_{(17,17)-(20,20)} berturut-turut adalah -80,78410753; -62,99276708; -51,48317972; -48,69537121. Tipe semikonduktor yang dihasilkan dari pengenkapsulasian Be ini menghasilkan semikonduktor dengan tipe-p.

Kata kunci : silicon nanotube, DFT, celah energi

Abstract. Theoretical studies has been done to determine the encapsulation effect of Be on the silicon nanotubes armchair (SiNT_{(17.17)-(20.20)}). Experimental methods used Density Function Theory (DFT) with LDA approach and basis set used is DZVP and TZV2P. The greater value of the chirality of SiNT structure, the greater diameter is produced, resulting in the value of band gap where a larger diameter will produce smaller band gap of nanotubes, as well as on carbon nanotubes. With the encapsulation of Be, the band gap of SiNT armchair be decreased. Band gap SiNT-Be_{(17.17)-(20.20)} respectively is 1.667211; 1.560685; 1.560084; 1.504471. In addition, encapsulation of Be tagged affect the stability of  SiNT armchair with the lower energy. The total energy of the geometry optimization SiNT-Be_{(17.17)-(20.20)} respectively -80.78410753; -62.99276708; -51.48317972; -48.69537121. The resulting semiconductor types of encapsulation Be is a p-type semiconductor.

Key words : silicon nanotube, DFT, band gap